Micron ประกาศแผนหน่วยความจำเจเนอเรชันใหม่สำหรับดาต้าเซ็นเตอร์ยุค AI โดยระบุว่าจะเริ่มเข้าสู่ช่วงผลิตเชิงพาณิชย์ในปี 2026 เพื่อรองรับคลัสเตอร์ AI รุ่นถัดไป ทั้งงานเทรนนิงและอินเฟอเรนซ์ที่ต้องการแบนด์วิดท์สูง ความจุเพิ่ม และประสิทธิภาพพลังงานที่ดีกว่าเดิม (รายงานจากเอกสารนักลงทุนและข่าวประชาสัมพันธ์ของบริษัท)
Micron เผยความคืบหน้า HBM4 และ HBM4E โดย HBM4 มีอินเทอร์เฟซกว้าง 2,048 บิต และทำความเร็วได้มากกว่า 2.0 TB/s ต่อสแตก คิดเป็นประสิทธิภาพเพิ่มกว่า 60% เมื่อเทียบเจเนอเรชันก่อนหน้า ขณะเดียวกันยังปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานได้มากกว่า 20% เมื่อเทียบกับ HBM3E ของตนเอง ซึ่งสอดคล้องกับทิศทางของผู้ผลิตชิปเร่งความเร็ว AI ที่ต้องการลดคอขวดด้านหน่วยความจำในระดับระบบ
สำหรับ HBM4E ซึ่งเป็นรุ่นถัดจาก HBM4 Micron ระบุว่าจะเปิดทางให้ลูกค้าระดับไฮเอนด์ “ปรับแต่งไดฐาน (base die) แบบคัสตอม” ได้ โดยใช้ไลเซมิคอนดักเตอร์ขั้นก้าวหน้า (เช่น TSMC) เพื่อเพิ่มแคชหรือฟังก์ชันตรรกะเฉพาะทาง เช่น โปรโตคอลเชื่อมต่อเฉพาะงาน การโอนข้อมูลหน่วยความจำต่อหน่วยความจำ การจัดการพลังงานขั้นสูง หรือกลไก ECC และความปลอดภัยแบบเฉพาะ ทำให้ผู้ผลิตจีพียูและเร่งความเร็ว AI สามารถเลือกจูนแพ็กเกจหน่วยความจำให้เหมาะกับเวิร์กโหลดจริงมากขึ้น ทั้งด้านประสิทธิภาพ เวลาแฝง และการใช้พลังงาน
ภาพรวมพอร์ต HBM ปัจจุบันของ Micron ยังชี้ให้เห็นฐานเทคโนโลยีที่รองรับการขยับสู่ HBM4/HBM4E: HBM3E แบบ 12-high ความจุ 36GB ให้แบนด์วิดท์มากกว่า 1.2 TB/s ที่ความเร็วพิน >9.2 Gb/s และอ้างว่าบริโภคพลังงานต่ำกว่าคู่แข่งในสเปก 8-high ความจุ 24GB อย่างมีนัยสำคัญ ตัวเลขเหล่านี้สะท้อนว่าทั้งแบนด์วิดท์ต่อวัตต์และความจุต่อแพ็กเกจคือแกนหลักของการสเกลคลัสเตอร์ AI รุ่นใหม่ ซึ่งต้องการหน่วยความจำความหนาแน่นสูงในฟุตพรินต์เล็ก
ประเด็นเชิงระบบที่น่าจับตา ได้แก่ 1) ความสอดคล้องของสแตก HBM4 ขนาด 36GB 12-high กับจีพียู/เอ็กเซลเลอเรเตอร์รุ่นปี 2026 2) การบริหารพลังงานและความร้อนเมื่อย้ายแบนด์วิดท์สู่ระดับ >2 TB/s ต่อสแตก ในสเกลระบบแร็ค และ 3) ซัพพลายเชนของการแพ็กเกจหลายชั้นและเวเฟอร์โลจิกขั้นสูงที่ใช้ทำ base die แบบคัสตอม ซึ่งอาจมีผลต่อราคาและเวลาส่งมอบของทั้งอุตสาหกรรม
คุณสมบัติเด่นที่ประกาศหรือเปิดเผยต่อสาธารณะ
- อินเทอร์เฟซ HBM4 กว้าง 2,048 บิต ความเร็วมากกว่า 2.0 TB/s ต่อสแตก
- ประสิทธิภาพดีขึ้น >60% เทียบเจเนอเรชันก่อน และประหยัดพลังงานขึ้น >20% เทียบ HBM3E ของ Micron
- HBM4E เปิดทาง “คัสตอม base die” เพิ่มแคช ฟังก์ชันตรรกะ โปรโตคอล หรือ ECC/ความปลอดภัยเฉพาะงาน
- HBM3E 12-high 36GB แบนด์วิดท์ >1.2 TB/s ที่ >9.2 Gb/s ต่อพิน และอ้างว่ากินไฟต่ำกว่าสเปก 8-high 24GB ของคู่แข่ง
อ้างอิง
- ข่าวส่งมอบตัวอย่าง HBM4 36GB 12-high และสเปกเบื้องต้นจากข่าวประชาสัมพันธ์ Micron และสำนักข่าวการเงิน: https://stockhouse.com/news/press-releases/2025/06/10/micron-ships-hbm4-to-key-customers-to-power-next-gen-ai-platforms, https://www.tradingview.com/news/reuters.com,2025-06-10:newsml_GNXbZRvZy:0-micron-ships-hbm4-to-key-customers-to-power-next-gen-ai-platforms/, https://www.stocktitan.net/news/MU/micron-ships-hbm4-to-key-customers-to-power-next-gen-ai-x45pcx0qiu3b.html
- บทวิเคราะห์ HBM4/HBM4E และแผนผลิตปี 2026 พร้อมแนวคิด base die แบบคัสตอม: https://www.tomshardware.com/pc-components/gpus/microns-hbm4e-heralds-a-new-era-of-customized-memory-for-ai-gpus-and-beyond
- สเปก HBM3E 12-high 36GB และตัวเลขแบนด์วิดท์/พลังงาน: https://www.micron.com/about/blog/applications/ai/micron-continues-memory-industry-leadership-with-hbm3e-12-high-36gb, https://www.semiconductor-digest.com/micron-introduces-hbm3e-12-high-36gb/, https://www.techpowerup.com/326343/micron-announces-12-high-hbm3e-memory-bringing-36-gb-capacity-and-1-2-tb-s-bandwidth